DH-350 PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備銷售【上海雙旭】
上海雙旭DH-350 PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
產(chǎn)品概述
DH-350 PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）設(shè)備由上海雙旭電子有限公司設(shè)計(jì)制造，適用于在半導(dǎo)體、微電子、光學(xué)及材料研究等領(lǐng)域沉積高質(zhì)量的二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）等薄膜。該設(shè)備利用射頻（RF）等離子體增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)，可在相對較低的溫度下實(shí)現(xiàn)薄膜的高效、均勻沉積。
主要技術(shù)參數(shù)
- 反應(yīng)室尺寸：直徑350mm（可根據(jù)客戶需求定制）
- 沉積溫度范圍：室溫 ~ 400°C（可調(diào)）
- 真空系統(tǒng)：分子泵組，極限真空 ≤ 5.0×10-5 Pa
- 射頻電源：13.56MHz，功率0~1000W可調(diào)
- 氣體通道：標(biāo)配4路質(zhì)量流量計(jì)（MFC）控制，可擴(kuò)展
- 沉積速率：SiO2典型值 30-100 nm/min（可調(diào)）
- 薄膜均勻性：≤ ±5%（片內(nèi)均勻性）
- 控制系統(tǒng)：PLC+觸摸屏，支持自動(dòng)/手動(dòng)操作模式
- 設(shè)備尺寸（約）：1500mm (L) × 1000mm (W) × 1800mm (H)
使用注意事項(xiàng)
- 安全操作：設(shè)備涉及高壓射頻、高溫及特種氣體（如SiH4、NH3等），操作人員必須經(jīng)過專業(yè)培訓(xùn)，嚴(yán)格遵守安全規(guī)程，佩戴防護(hù)裝備。
- 環(huán)境要求：設(shè)備應(yīng)安裝在潔凈度較高的環(huán)境中（建議萬級或更高），避免震動(dòng)和強(qiáng)電磁干擾，保持室溫20-25°C，濕度≤60%。
- 氣體管理：所有工藝氣體需使用高純度等級（≥99.999%），管路必須嚴(yán)格檢漏，可燃/有毒氣體應(yīng)配備泄漏檢測與應(yīng)急排風(fēng)系統(tǒng)。
- 真空維護(hù)：定期檢查密封圈、泵油及過濾器，避免污染物進(jìn)入反應(yīng)室，影響薄膜質(zhì)量與設(shè)備壽命。
- 工藝調(diào)試：沉積前需進(jìn)行充分的工藝參數(shù)優(yōu)化（如功率、壓力、氣體比例），建議使用監(jiān)控片測試均勻性與折射率。
- 日常維護(hù)：按手冊進(jìn)行定期保養(yǎng)，包括清潔反應(yīng)室、校準(zhǔn)MFC、檢查射頻匹配器等，并記錄維護(hù)日志。
- 應(yīng)急處理：熟悉急停按鈕位置，遇異常放電、氣體泄漏或真空失效時(shí)立即停機(jī)，并啟動(dòng)應(yīng)急預(yù)案。
應(yīng)用領(lǐng)域
適用于半導(dǎo)體器件鈍化層、光學(xué)增透/反射膜、MEMS封裝、太陽能電池減反射涂層、硬質(zhì)保護(hù)膜等領(lǐng)域的薄膜制備。
注：具體規(guī)格以實(shí)際合同配置為準(zhǔn)，操作前請務(wù)必詳細(xì)閱讀官方說明書。 |
